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首页 全部分类 DMC4040SSD-13 vs IRF7902TRPBF

DMC4040SSD-13备选型号: IRF7902TRPBF

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Diodes Incorporated
    DMC4040SSD-13
    Diodes Incorporated
    Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 7.3/-7.5A; 1.8W; SO8
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    6.8A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    HIGH RELIABILITY
    1.8W
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    DMC4040
    8
    AEC-Q101
    增强型MOSFET
    2.14W
    6.9 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 3A, 10V
    1.8V @ 250μA
    1790pF @ 20V
    37.6nC @ 10V
    14.7ns
    40V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    30.9 ns
    7.5A
    20V
    5.7A
    0.04Ohm
    -40V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7902TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    6.4A 9.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    2W
    -
    鸥翼
    -
    -
    IRF7902PBF
    -
    -
    增强型MOSFET
    2W
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    22.6m Ω @ 6.4A, 10V
    2.25V @ 25μA
    580pF @ 15V
    6.9nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    -
    9.7A
    20V
    -
    -
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    22.6MOhm
    Dual
    1.4W 2W
    7.3 mJ
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