Infineon Technologies IRF7902TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.4A 9.7A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

22.6MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

基本部件号

IRF7902PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

功率 - 最大

1.4W 2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22.6m Ω @ 6.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

580pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.9nC @ 4.5V

连续放电电流(ID)

9.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

7.3 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅