DMC506E20R备选型号: MMDT4124-7-F
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最高工作温度
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 增益
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最高频段
- 噪音数字(分贝类型@ f)
- RoHS状态
- 触点镀层
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率耗散
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- Bipolar Transistors - BJT Composite Transistor SC-113DB/SOT-36310 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON20VTape & Reel (TR)Discontinued1 (Unlimited)6EAR99150°C8541.21.00.75150mWFLAT未说明unknown未说明NPNDualAMPLIFIER650MHz2 NPN (Dual)20V15mA65 @ 1mA 6V24dB650MHz30V3V极高频率 b3.3dB @ 100MHz符合RoHS标准-------------------------
- Bipolar Transistors - BJT 25V 200mW15 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON25VTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)6EAR99--200mW鸥翼260-40NPNDualSWITCHING300MHz2 NPN (Dual)25V200mA120 @ 2mA 1V-300MHz30V5V--ROHS3 CompliantTin6.010099mg300mV-55°C~150°C TJ2007e3yesSMD/SMTHIGH RELIABILITY25V200mA300MHzMMDT41246200mW50nA ICBO300mV @ 5mA, 50mA25V200mA1mm2.2mm1.35mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMDT4146-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 25V 0.2A SOT363 | 对比 |
![]() | DVR5V0W-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-363 | Bipolar Transistors - BJT Complex Array | 对比 |
![]() | MMDT4124-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - BJT 25V 200mW | 对比 |




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