DME800备选型号: MDS800

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  • 频率转换
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 最高频段
  • Microsemi Corporation
    Trans RF BJT NPN 65V 50A 3-Pin Case 55ST-1
    22 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    55ST-1
    3
    65V
    200°C TJ
    Bulk
    2003
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    2.5kW
    2
    2500W
    NPN
    65V
    50A
    20 @ 600mA 5V
    9dB ~ 10dB
    1.15GHz
    1.025GHz~1.15GHz
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 65V 60A 3-Pin Case 55ST-1
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    55ST-1
    3
    65V
    200°C TJ
    Bulk
    2012
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    1.458kW
    2
    1458W
    NPN
    65V
    60A
    20 @ 1A 5V
    8.6dB
    1.09GHz
    1.09GHz
    符合RoHS标准
    SILICON
    e0
    2
    锡铅
    DUAL
    FLAT
    R-CDFM-F2
    SINGLE
    AMPLIFIER
    NPN
    L B
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MDS800 MDS800 Microsemi Corporation 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 55ST-1 Trans GP BJT NPN 65V 60A 3-Pin Case 55ST-1 对比
1214-300M 1214-300M Microsemi Corporation 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 55ST RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST 对比