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DMG1012T-7备选型号: DMG1013T-7

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  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 最大结点温度（Tj）
  • Diodes Incorporated
    DMG1012T-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-523
    3
    SOT-523
    2.012816mg
    630mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    400MOhm
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    280mW
    5.1 ns
    N-Channel
    400mOhm @ 600mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    60.67pF @ 16V
    0.74nC @ 4.5V
    7.4ns
    20V
    ±6V
    12.3 ns
    630mA
    1V
    6V
    20V
    60.67pF
    300mOhm
    400 mΩ
    800μm
    1.7mm
    850μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMG1013T-7
    Diodes Incorporated
    P-Channel 20 V 0.7 Ohm 0.27 W Enhancement Mode Mosfet - SOT-523
    14 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-523
    3
    -
    2.012816mg
    460mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    700mOhm
    -
    -
    1
    Single
    270mW
    5.1 ns
    P-Channel
    700m Ω @ 350mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    59.76pF @ 16V
    0.622nC @ 4.5V
    8.1ns
    20V
    ±6V
    20.7 ns
    -460mA
    -1V
    6V
    -20V
    -
    -
    -
    900μm
    1.7mm
    850μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    3
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.46A
    150°C
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