DMG1012T-7
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Diodes Incorporated DMG1012T-7

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型号

DMG1012T-7

utmel 编号

671-DMG1012T-7

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-523

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

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DMG1012T-7
DMG1012T-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

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DMG1012T-7详情

Diodes Incorporated DMG1012T-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-523

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SOT-523

  • 质量

    2.012816mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    630mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.8V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    280mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    26.7 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    400MOhm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    280mW

  • 接通延迟时间

    5.1 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    400mOhm @ 600mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    60.67pF @ 16V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.74nC @ 4.5V

  • 上升时间

    7.4ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±6V

  • 下降时间(典型值)

    12.3 ns

  • 连续放电电流(ID)

    630mA

  • 阈值电压

    1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    6V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 输入电容

    60.67pF

  • 漏源电阻

    300mOhm

  • 最大rds

    400 mΩ

  • 高度

    800μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    850μm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & DMG1012T-7相似的参数规格。

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