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首页 全部分类 DMG1024UV-7 vs DMN2400UV-7

DMG1024UV-7备选型号: DMN2400UV-7

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  • 终端形式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 阈值电压
  • Diodes Incorporated
    DMG1024UV-7
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 20V 1.38A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    3.005049mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    10Ohm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    530mW
    FLAT
    260
    40
    DMG1024UV
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    530mW
    5.1 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    450m Ω @ 600mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    60.67pF @ 16V
    0.74nC @ 4.5V
    7.4ns
    20V
    12.3 ns
    1.38A
    6V
    1.39A
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    600μm
    1.7mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2400UV-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    3.005049mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    2017
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    500mOhm
    -
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    530mW
    FLAT
    -
    -
    -
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    530mW
    4.06 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    480m Ω @ 200mA, 5V
    900mV @ 250μA
    36pF @ 16V
    0.5nC @ 4.5V
    7.28ns
    20V
    10.54 ns
    1.33A
    12V
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    600μm
    1.7mm
    1.25mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    900mV
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