Diodes Incorporated DMG1016V-7

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

质量

3.005049mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

870mA 640mA

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

28.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

700mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

530mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

基本部件号

DMG1016V

引脚数量

6

参考标准

AEC-Q101

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

530mW

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 600mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60.67pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.74nC @ 4.5V

上升时间

8.1ns

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

20.7 ns

连续放电电流(ID)

640mA

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.87A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.25mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅