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DMG1026UV-7备选型号: 2N7002V
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 电阻
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K16 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY580mWFLAT26040DMG10266Dual增强型MOSFET6.5W3.4 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING1.8 Ω @ 500mA, 10V1.8V @ 250μA32pF @ 25V0.45nC @ 10V3.4ns60V16.3 ns410mA20V0.38AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门600μm1.7mm1.25mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------- MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F11 Weeks表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-6666SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99--250mWFLAT----Dual增强型MOSFET250mW5.85 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING7.5 Ω @ 50mA, 5V2.5V @ 250μA50pF @ 25V--60V-280mA20V-METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门600μm1.7mm1.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)Tin32mg7.5Ohm1.76V60V1.76 V7 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN601VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563 | 对比 |
| 2N7002V | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F | 对比 |
| 2N7002VC-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563 | 对比 |
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