DMG264010R备选型号: DMC206010R
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- 最高工作温度
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- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 电阻基(R1)
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- 电阻-发射极基极(R2)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 增益带宽积
- 最高频率
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 达到SVHC
- Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm10 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON50VTape & Reel (TR)2010Discontinued1 (Unlimited)6EAR99150°CBUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 18541.21.00.95300mW鸥翼未说明unknown未说明DMG26401NPN, PNPDualSWITCHING1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)250mV100mA35 @ 5mA 10V500nA250mV @ 500μA, 10mA50V10k Ω-100mA10k Ω1.1mm2.9mm1.5mm符合RoHS标准无铅----------
- TRANS DUAL NPN 50V 100MA MINI610 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-66SILICON50VTape & Reel (TR)2010Discontinued1 (Unlimited)6EAR99--8541.21.00.75300mW鸥翼未说明-未说明DMC20601NPNDualAMPLIFIER2 NPN (Dual)50V100mA210 @ 2mA 10V100μA300mV @ 10mA, 100mA50V---1.1mm2.9mm1.5mm符合RoHS标准-300mV150°C TJe6Tin/Bismuth (Sn/Bi)150MHz150MHz150MHz60V7VUnknown
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMA204010R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | TRANS DUAL PNP 50V 100MA MINI6 | 对比 |
![]() | DMG204010R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | DMG204010R Dual NPN PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 50 V; 6-Pin Mini6 G4 B | 对比 |
![]() | DDA114EK-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SOT-23-6 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26 | 对比 |




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