Diodes Incorporated DDA114EK-7-F
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DDA114EK-7-F
671-DDA114EK-7-F
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-23-6
大陆
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26
1最小包装量--
DDA114EK-7-F详情
Diodes Incorporated DDA114EK-7-F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
19 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
30
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
DDA114
引脚数量
6
资历状况
不合格
极性
PNP
元素配置
Dual
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
10k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DDA114EK-7-F拓展信息
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