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DMG3406L-13备选型号: DMP3056L-7
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT2323 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel50m Ω @ 3.6A, 10V2V @ 250μA495pF @ 15V11.2nC @ 10V30V±20V3.6AROHS3 Compliant------------------ MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT2323 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-34.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明P-Channel50m Ω @ 6A, 10V2.1V @ 250μA642pF @ 25V11.8nC @ 10V30V±25V-4.3AROHS3 CompliantSILICON3DUAL鸥翼R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET1.38W4.9 nsSWITCHING25V0.05Ohm-30V20A150°C1.1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP3099L-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 | 对比 |
| DMP3056L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23 | 对比 |
 | CPH3448-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | N-Channel Power MOSFET, 30V, 4A, 50mO | 对比 |
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