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首页 全部分类 DMG4468LFG vs IRLTS6342TRPBF

DMG4468LFG备选型号: IRLTS6342TRPBF

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  • 晶体管元件材料
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 系列
  • 已出版
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMG4468LFG
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET N-CHANNEL 30V/4.83 - 7.62A
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerUDFN
    8
    SILICON
    7.62A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    e4
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    无铅
    260
    40
    8
    R-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5.46 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 11.6A, 10V
    2V @ 250μA
    867pF @ 10V
    18.85nC @ 10V
    14.53ns
    ±20V
    6.01 ns
    7.62A
    30V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLTS6342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    5.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    17.5m Ω @ 8.3A, 4.5V
    1.1V @ 10μA
    1010pF @ 25V
    11nC @ 4.5V
    11ns
    ±12V
    15 ns
    8.3A
    30V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    HEXFET®
    2011
    17.5MOhm
    Single
    2W
    12V
    20 ns
    -400 mV
    1.3mm
    3mm
    1.75mm
    无
    无铅
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