Diodes Incorporated DMG4468LFG

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerUDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.62A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

990mW Ta

Turn Off Delay Time

18.84 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.46 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15m Ω @ 11.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

867pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18.85nC @ 10V

上升时间

14.53ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6.01 ns

连续放电电流(ID)

7.62A

漏源击穿电压

30V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准