DMG4468LK3-13备选型号: NTD4815NHT4G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET N-CH 30V 9.7A TO25215 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.949996gSILICON9.7A Ta-55°C~150°C TJDigi-Reel®2013e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼260404R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFETDRAIN5.46 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 11.6A, 10V1.95V @ 250μA867pF @ 15V18.85nC @ 10V14.53ns±20V6.01 ns9.7ATO-252AA20V30V48A无SVHC无ROHS3 Compliant-------
- MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-634-SILICON6.9A Ta 35A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2008e3yesObsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)--鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2--增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING15m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 250μA845pF @ 12V6.8nC @ 4.5V17.6ns±20V17.6 ns8.5A-20V30V87A--符合RoHS标准LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)不合格Single1.92W6.9A35.6 mJ无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4815NHT4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK | 对比 | |
![]() | IRLR7807ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 43A DPAK | 对比 |




哦! 它是空的。