DMG4496SSS-13备选型号: DMG4800LSD-13
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 无铅
- N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOIC816 Weeks8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装表面贴装873.992255mgSILICON10A Ta2013Digi-Reel®-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼2604081Single增强型MOSFET1.42W4.76 nsN-ChannelSWITCHING21.5m Ω @ 10A, 10V2V @ 250μA493.5pF @ 15V10.2nC @ 10V3.64ns±25V4.9 ns10A25V30V60A1.5mm4.95mm3.95mmROHS3 Compliant无无SVHC----------
- MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO16 Weeks8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)表面贴装表面贴装873.992255mgSILICON22011Cut Tape (CT)-55°C~150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn) - annealed-鸥翼260408-Dual增强型MOSFET1.17W5.03 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING16m Ω @ 9A, 10V1.6V @ 250μA798pF @ 10V8.56nC @ 5V4.5ns-8.55 ns7.5A25V30V-1.7mm4.95mm3.95mmROHS3 Compliant无无SVHCHIGH RELIABILITY1.17WDMG4800LSD30V1.6V0.016OhmMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD | 对比 |
![]() | DMN3018SSS-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | N-Channel 30 V 21 mO 13.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 | 对比 |



哦! 它是空的。