Diodes Incorporated DMG4800LSD-13

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

73.992255mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

26.33 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.17W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

DMG4800LSD

引脚数量

8

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.17W

接通延迟时间

5.03 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.6V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

798pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.56nC @ 5V

上升时间

4.5ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

8.55 ns

连续放电电流(ID)

7.5A

阈值电压

1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.016Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.7mm

长度

4.95mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅