DMG4511SK4-13备选型号: FDD4685
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 场效应管特性
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 辐射硬化
- MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K15 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD3TO-252-4L5.3A 5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011活跃1 (Unlimited)150°C-55°C1.54WDMG451124.1W5.4 ns1.54WN and P-Channel, Common Drain35mOhm @ 8A, 10V3V @ 250μA850pF @ 25V18.7nC @ 10V2.8ns35V35.6 ns5A20V850pF逻辑电平门65mOhm35 mΩ2.39mm6.7mm6.2mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-------------------------
- ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 V8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-8.4A Ta 32A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006活跃1 (Unlimited)---FDD4685-69W8 ns-P-Channel27m Ω @ 8.4A, 10V3V @ 250μA2380pF @ 20V27nC @ 5V15ns40V14 ns8.4mA20V----2.39mm6.73mm6.22mm无SVHCROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)Tin260.37mgSILICONPowerTrench®e3yes2SMD/SMTEAR9927MOhm-40V鸥翼-8.4AR-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN±20V-1.6V40A-40V-40V-1.6 V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD6630A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
![]() | FDD8424H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | Trans MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A 5-Pin(4 Tab) TO-252 T/R | 对比 |





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