DMG4511SK4-13备选型号: FDD4685

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  • 供应商器件包装
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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • Vgs(最大值)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
    3
    TO-252-4L
    5.3A 5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1.54W
    DMG4511
    2
    4.1W
    5.4 ns
    1.54W
    N and P-Channel, Common Drain
    35mOhm @ 8A, 10V
    3V @ 250μA
    850pF @ 25V
    18.7nC @ 10V
    2.8ns
    35V
    35.6 ns
    5A
    20V
    850pF
    逻辑电平门
    65mOhm
    35 mΩ
    2.39mm
    6.7mm
    6.2mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 V
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    8.4A Ta 32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    FDD4685
    -
    69W
    8 ns
    -
    P-Channel
    27m Ω @ 8.4A, 10V
    3V @ 250μA
    2380pF @ 20V
    27nC @ 5V
    15ns
    40V
    14 ns
    8.4mA
    20V
    -
    -
    -
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 hours ago)
    Tin
    260.37mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    27MOhm
    -40V
    鸥翼
    -8.4A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    ±20V
    -1.6V
    40A
    -40V
    -40V
    -1.6 V
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