DMG4511SK4-13
DMG4511SK4-13

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Diodes Incorporated DMG4511SK4-13

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型号

DMG4511SK4-13

utmel 编号

671-DMG4511SK4-13

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K

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DMG4511SK4-13
DMG4511SK4-13 Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K

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DMG4511SK4-13详情

Diodes Incorporated DMG4511SK4-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-252-4L

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.3A 5A

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    33.2 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    1.54W

  • 基本部件号

    DMG4511

  • 通道数量

    2

  • 功率耗散

    4.1W

  • 接通延迟时间

    5.4 ns

  • 功率 - 最大

    1.54W

  • 场效应管类型

    N and P-Channel, Common Drain

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    35mOhm @ 8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    850pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    18.7nC @ 10V

  • 上升时间

    2.8ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    35V

  • 下降时间(典型值)

    35.6 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 输入电容

    850pF

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 漏源电阻

    65mOhm

  • 最大rds

    35 mΩ

  • 高度

    2.39mm

  • 长度

    6.7mm

  • 宽度

    6.2mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Diodes Incorporated DMG4511SK4-13.

右边的3个型号有着和Diodes Incorporated & DMG4511SK4-13相似的参数规格。

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DMG4511SK4-13拓展信息

DMC2038LVT-7
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Diodes Incorporated

DMN65D8LDW-7
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Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7
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Diodes Incorporated

DMC2400UV-7
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Diodes Incorporated

DMP2240UDM-7
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Diodes Incorporated

DMN6040SSD-13
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DMN63D8LDW-7
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DMN2016UTS-13
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Diodes Incorporated

DMG6601LVT-7
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DMN3033LSD-13
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Diodes Incorporated

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