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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.501947
10
¥8.020702
100
¥7.566701
500
¥7.138396
1000
¥6.73434
Diodes Incorporated DMG4511SK4-13
- 收藏
- 对比
DMG4511SK4-13
671-DMG4511SK4-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
大陆
立即发货

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMG4511SK4-13详情
Diodes Incorporated DMG4511SK4-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
引脚数
3
供应商器件包装
TO-252-4L
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.3A 5A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
33.2 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
1.54W
基本部件号
DMG4511
通道数量
2
功率耗散
4.1W
接通延迟时间
5.4 ns
功率 - 最大
1.54W
场效应管类型
N and P-Channel, Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs
35mOhm @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
850pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18.7nC @ 10V
上升时间
2.8ns
漏源电压 (Vdss)
35V
下降时间(典型值)
35.6 ns
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
输入电容
850pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
65mOhm
最大rds
35 mΩ
高度
2.39mm
长度
6.7mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMG4511SK4-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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