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首页 全部分类 DMG4822SSD-13 vs IRF7811AVTRPBF

DMG4822SSD-13备选型号: IRF7811AVTRPBF

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 栅源电压
  • Diodes Incorporated
    DMG4822SSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    73.992255mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    1.42W
    鸥翼
    260
    40
    DMG4822
    8
    Dual
    增强型MOSFET
    1.42W
    2.9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 8.5A, 10V
    3V @ 250μA
    478.9pF @ 16V
    10.5nC @ 10V
    7.9ns
    30V
    3.1 ns
    10A
    25V
    30V
    60A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7811AVTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    10.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    Single
    -
    2.5W
    8.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 15A, 4.5V
    3V @ 250μA
    1801pF @ 10V
    26nC @ 5V
    21ns
    -
    10 ns
    10.8A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    HEXFET®
    14MOhm
    30V
    DUAL
    10.8A
    ±20V
    3V
    3 V
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