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首页 全部分类 DMG4N60SCT vs FDPF5N60NZ

DMG4N60SCT备选型号: FDPF5N60NZ

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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 系列
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMG4N60SCT
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2016
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 2A, 10V
    4.5V @ 250μA
    532pF @ 25V
    14.3nC @ 10V
    600V
    ±30V
    4.5A
    TO-220AB
    6A
    600V
    90 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF5N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V, N-Channel MOSFET, UniFET-II
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    4.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 2.25A, 10V
    5V @ 250μA
    600pF @ 25V
    13nC @ 10V
    -
    ±25V
    4.5A
    TO-220AB
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    Tin
    3
    2.27g
    UniFET-II™
    yes
    EAR99
    2Ohm
    Single
    33W
    ISOLATED
    15 ns
    20ns
    20 ns
    3V
    25V
    600V
    15.87mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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