DMG6968LSD-13备选型号: 5LN01C-TB-E

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-3
    7.994566mg
    6.5A Ta
    700mV @ 250μA
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.3W
    1
    N-Channel
    36mOhm @ 3.5A, 1.8V
    151pF @ 10V
    8.5nC @ 4.5V
    20V
    6.5A
    151pF
    36mOhm
    36 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin CP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    100mA Ta
    -
    Tape & Reel (TR)
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    7.8 Ω @ 50mA, 4V
    6.6pF @ 10V
    1.57nC @ 10V
    -
    100mA
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    Tin
    3
    150°C TJ
    2012
    e6
    yes
    EAR99
    Single
    250mW
    18 ns
    42ns
    ±10V
    105 ns
    10V
    50V
    1.1mm
    2.9mm
    1.5mm
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BFR31,215 BFR31,215 NXP USA Inc. 晶体管 - JFET TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 对比