DMG6968LSD-13备选型号: 5LN01C-TB-E
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- 操作温度
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W表面贴装表面贴装SOT-23-37.994566mg6.5A Ta700mV @ 250μATape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)1.3W1N-Channel36mOhm @ 3.5A, 1.8V151pF @ 10V8.5nC @ 4.5V20V6.5A151pF36mOhm36 mΩ符合RoHS标准-------------------
- Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin CP T/R表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-100mA Ta-Tape & Reel (TR)LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)1 (Unlimited)--N-Channel7.8 Ω @ 50mA, 4V6.6pF @ 10V1.57nC @ 10V-100mA---符合RoHS标准Tin3150°C TJ2012e6yesEAR99Single250mW18 ns42ns±10V105 ns10V50V1.1mm2.9mm1.5mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BFR31,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 | 对比 |



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