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首页 全部分类 DMG6968LSD-13 vs BFR31,215

DMG6968LSD-13备选型号: BFR31,215

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
  • 最大漏极电流（Id）
  • Diodes Incorporated
    DMG6968LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-3
    7.994566mg
    6.5A Ta
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.3W
    1
    N-Channel
    36mOhm @ 3.5A, 1.8V
    700mV @ 250μA
    151pF @ 10V
    8.5nC @ 4.5V
    20V
    6.5A
    151pF
    36mOhm
    36 mΩ
    符合RoHS标准
    -
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    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BFR31,215
    NXP USA Inc.
    JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    1
    Tape & Reel (TR)
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    -
    -
    4pF @ 10V
    -
    25V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8 Weeks
    YES
    SILICON
    150°C TJ
    1997
    e3
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.21.00.95
    DUAL
    鸥翼
    260
    未说明
    BFR31
    3
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE
    DEPLETION MODE
    250mW
    AMPLIFIER
    25V
    JUNCTION
    0.3W
    1.5 pF
    1mA @ 10V
    2.5V @ 0.5nA
    10mA
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BFR31,215 BFR31,215 NXP USA Inc. 晶体管 - JFET TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 对比