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首页 全部分类 DMN1033UCB4-7 vs FDZ293P

DMN1033UCB4-7备选型号: FDZ293P

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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN1033UCB4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, WLBGA
    4
    83 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e1
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    1.45W
    10 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    37nC @ 4.5V
    20ns
    52 ns
    6V
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDZ293P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-Pin BGA T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    9-VFBGA
    9
    4.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    11nC @ 4.5V
    10ns
    10 ns
    12V
    -
    -
    符合RoHS标准
    PowerTrench®
    -20V
    -4.6A
    Single
    1.7W
    46m Ω @ 4.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    754pF @ 10V
    20V
    ±12V
    4.6A
    -20V
    无铅
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