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首页 全部分类 DMN10H099SFG-7 vs FDMC86116LZ

DMN10H099SFG-7备选型号: FDMC86116LZ

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  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN10H099SFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    72.007789mg
    4.2A Ta
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    1.127nF
    1
    5.4 ns
    N-Channel
    80m Ω @ 3.3A, 10V
    1172pF @ 50V
    25.2nC @ 10V
    5.9ns
    ±20V
    7.3 ns
    4.2A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC86116LZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    180mg
    3.3A Ta 7.5A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e4
    ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    4.5 ns
    N-Channel
    103m Ω @ 3.3A, 10V
    310pF @ 50V
    6nC @ 10V
    1.3ns
    ±20V
    1.4 ns
    3.3A
    20V
    100V
    ROHS3 Compliant
    Gold
    SILICON
    PowerTrench®
    yes
    5
    DUAL
    260
    30
    S-PDSO-N5
    Single
    增强型MOSFET
    19W
    DRAIN
    SWITCHING
    7.5A
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
    无
    无铅
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