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DMN10H220L-13备选型号: BSS123L
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT2316 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装SILICON4.5V 10V2.5V @ 250μA2014Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼26030DMN10H220AEC-Q101R-PDSO-G3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 1.6A, 10V401pF @ 25V8.3nC @ 10V100V±16V1.4A0.22Ohm100VROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-238 WeeksTO-236-3, SC-59, SOT-23-3表面贴装表面贴装SILICON40 ns2V @ 1mA2012Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJe3ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-DUAL鸥翼26030----增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING6 Ω @ 170mA, 10V21.5pF @ 25V2.5nC @ 10V-±20V170mA--ROHS3 Compliant330mgyes1Single225mW20 ns1.7ns5.6 ns1.6V20V100V150°C1.11mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | CPH3462-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 | 对比 |
 | IRLML0100TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 | 对比 |
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