ON Semiconductor BSS123L
- 收藏
- 对比
BSS123L
1807-BSS123L
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23
--最小包装量--
BSS123L详情
ON Semiconductor BSS123L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
170mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
225mW
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 170mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
21.5pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.5nC @ 10V
上升时间
1.7ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.6 ns
连续放电电流(ID)
170mA
阈值电压
1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.11mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSS123L拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。