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首页 全部分类 DMN10H700S-13 vs IRLML5103TRPBF

DMN10H700S-13备选型号: IRLML5103TRPBF

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 场效应管特性
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  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 最小击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN10H700S-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 100V 700MA SOT23
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    700mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N-Channel
    SWITCHING
    700m Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 250μA
    235pF @ 50V
    4.6nC @ 10V
    100V
    ±20V
    700mA
    0.7A
    0.7Ohm
    100V
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLML5103TRPBF
    Infineon Technologies
    INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    SILICON
    760mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 600mA, 10V
    1V @ 250μA
    75pF @ 25V
    5.1nC @ 10V
    -
    ±20V
    -760mA
    0.76A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    Micro(SOT23)
    SMD/SMT
    600mOhm
    -30V
    -610mA
    不合格
    Single
    540mW
    10 ns
    8.2ns
    16 ns
    -1V
    20V
    -30V
    -30V
    -1 V
    30V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无铅
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