Diodes Incorporated DMP10H4D2S-7

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

270mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

380mW Ta

Turn Off Delay Time

8.4 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

380mW

接通延迟时间

3.3 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

87pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

-270mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.27A

漏源击穿电压

-100V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant