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首页 全部分类 DMN2011UFDE-7 vs IRF7425TRPBF

DMN2011UFDE-7备选型号: IRF7425TRPBF

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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2011UFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    11.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DMN2011
    1
    Single
    3.6 ns
    N-Channel
    9.5m Ω @ 7A, 4.5V
    1V @ 250μA
    2248pF @ 10V
    56nC @ 10V
    2.6ns
    20V
    ±12V
    13.5 ns
    11.7A
    12V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7425TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    15A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    1
    Single
    13 ns
    P-Channel
    8.2m Ω @ 15A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    7980pF @ 15V
    130nC @ 4.5V
    20ns
    -
    ±12V
    160 ns
    -15A
    12V
    ROHS3 Compliant
    Tin
    8
    SILICON
    HEXFET®
    8
    SMD/SMT
    8.2MOhm
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    260
    -15A
    30
    增强型MOSFET
    2.5W
    SWITCHING
    -1.2V
    -20V
    60A
    20V
    180 ns
    150°C
    1.2 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    含铅
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DMN2009LSS-13 DMN2009LSS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC 对比