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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.454758
10
¥6.089395
100
¥5.744714
500
¥5.419537
1000
¥5.112775
Diodes Incorporated DMN2011UFDE-7
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- 对比
DMN2011UFDE-7
671-DMN2011UFDE-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN2011UFDE-7详情
Diodes Incorporated DMN2011UFDE-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
610mW Ta
Turn Off Delay Time
21.6 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
基本部件号
DMN2011
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
3.6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.5m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2248pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56nC @ 10V
上升时间
2.6ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
13.5 ns
连续放电电流(ID)
11.7A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN2011UFDE-7拓展信息
Diodes Incorporated
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