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首页 全部分类 DMN2050LFDB-7 vs NTLTD7900ZR2G

DMN2050LFDB-7备选型号: NTLTD7900ZR2G

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
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  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2050LFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    HIGH RELIABILITY
    730mW
    260
    30
    AEC-Q101
    S-PDSO-N6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    45m Ω @ 5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    389pF @ 10V
    12nC @ 10V
    8ns
    20V
    8 ns
    3.3A
    12V
    4.5A
    0.045Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLTD7900ZR2G
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    防静电
    1.5W
    260
    40
    -
    -
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    26m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    15pF @ 16V
    18nC @ 4.5V
    1.17ns
    -
    1.17 ns
    6A
    12V
    6A
    0.026Ohm
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    8
    yes
    20V
    无铅
    9A
    NTLTD7900Z
    8
    不合格
    1.5W
    20V
    30A
    无铅
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