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首页 全部分类 DMN2550UFA-7B vs FDV303N

DMN2550UFA-7B备选型号: FDV303N

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电容量
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 功率耗散
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN2550UFA-7B
    Diodes Incorporated
    MOSFET 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    600mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    52.5pF
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PSSO-N2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 200mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    52.5pF @ 16V
    0.88nC @ 4.5V
    11ns
    ±8V
    36 ns
    600mA
    8V
    0.6A
    0.45Ohm
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDV303N
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    680mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    TIN
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    1
    Single
    增强型MOSFET
    -
    3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 500mA, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    50pF @ 10V
    2.3nC @ 4.5V
    8.5ns
    ±8V
    8.5 ns
    680mA
    8V
    -
    -
    25V
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
    Tin
    yes
    SMD/SMT
    450mOhm
    25V
    DUAL
    680mA
    20V
    12A
    350mW
    800mV
    25V
    150°C
    800 mV
    1.11mm
    2.92mm
    3.05mm
    无SVHC
    无
    无铅
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FDV303N FDV303N ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 对比