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首页 全部分类 DMN3008SFG-7 vs IRF7832TRPBF

DMN3008SFG-7备选型号: IRF7832TRPBF

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  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 系列
  • 终止次数
  • 终端
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 行间距
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
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  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN3008SFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    72.007789mg
    17.6A Ta
    2.3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4.6mOhm
    Matte Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    1
    Single
    5.7 ns
    N-Channel
    4.6m Ω @ 13.5A, 10V
    3690pF @ 10V
    86nC @ 10V
    14ns
    30V
    ±20V
    28.4 ns
    17.6A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7832TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    4.5V 10V
    2.32V @ 250μA
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    4MOhm
    -
    -
    -
    1
    Single
    12 ns
    N-Channel
    4m Ω @ 20A, 10V
    4310pF @ 15V
    51nC @ 4.5V
    6.7ns
    -
    ±20V
    13 ns
    20A
    20V
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    HEXFET®
    8
    SMD/SMT
    30V
    DUAL
    鸥翼
    20A
    6.3 mm
    增强型MOSFET
    2.5W
    SWITCHING
    2.32V
    30V
    30V
    260 mJ
    62 ns
    155°C
    2.32 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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