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首页 全部分类 DMN3016LFDE-7 vs IRFHM8334TRPBF

DMN3016LFDE-7备选型号: IRFHM8334TRPBF

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  • 端子表面处理
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    DMN3016LFDE-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    Single
    4.8 ns
    N-Channel
    12m Ω @ 11A, 10V
    2V @ 250μA
    1415pF @ 15V
    25.1nC @ 10V
    16.5ns
    30V
    ±20V
    5.6 ns
    10A
    20V
    580μm
    2.05mm
    2.05mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFHM8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    13A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    8.3 ns
    N-Channel
    9m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    30V
    ±20V
    4.6 ns
    13A
    20V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    HEXFET®
    5
    DUAL
    FLAT
    S-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    SWITCHING
    1.8V
    25A
    0.009Ohm
    30V
    35 mJ
    无SVHC
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