您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 DMN3018SFG-7 vs FDS4435BZ

DMN3018SFG-7备选型号: FDS4435BZ

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 底架
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 质量
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电容量
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Diodes Incorporated
    DMN3018SFG-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
    6 Weeks
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    8
    72.007789mg
    1W Ta
    2.1V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    697pF
    未说明
    未说明
    1
    Single
    4.3 ns
    N-Channel
    21m Ω @ 10A, 10V
    697pF @ 15V
    13.2nC @ 10V
    4.4ns
    ±25V
    4.1 ns
    8.5A
    25V
    30V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS4435BZ
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC
    18 Weeks
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    表面贴装
    8
    130mg
    30 ns
    3V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    1
    Single
    10 ns
    P-Channel
    20m Ω @ 8.8A, 10V
    1845pF @ 15V
    40nC @ 10V
    13ns
    ±25V
    38 ns
    -8.8A
    25V
    -30V
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    PowerTrench®
    yes
    8
    20MOhm
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -8.8A
    增强型MOSFET
    2.5W
    SWITCHING
    30V
    -2.1V
    150°C
    -2.1 V
    345 pF
    4mm
    1.75mm
    5mm
    无
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
DMN3030LSS-13 DMN3030LSS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC 对比
DMN4800LSS-13 DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 对比
DMG4800LK3-13 DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 10A TO252 对比