Diodes Incorporated DMG4800LK3-13

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

4

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.71W Ta

Turn Off Delay Time

26.33 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.6V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.71W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.03 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

798pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.7nC @ 5V

上升时间

4.5ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

8.55 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅