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DMN3027LFG-7备选型号: DMN3018SSD-13
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
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- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
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- 长度
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- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-815 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN85.3A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明N-Channel18.6m Ω @ 10A, 10V1.8V @ 250μA580pF @ 15V11.3nC @ 10V30V±25V5.3AROHS3 Compliant------------------------
MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A15 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)82-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)EAR99Matte Tin (Sn)260402 N-Channel (Dual)22m Ω @ 10A, 10V2.1V @ 250μA697pF @ 15V13.2nC @ 10V30V-6.7AROHS3 Compliant73.992255mgSILICONyes8HIGH RELIABILITY1.5W鸥翼AEC-Q1012Single增强型MOSFET4.3 nsSWITCHING4.4ns4.1 ns20V30V60AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门1.5mm4.95mm3.95mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3018SSD-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A | 对比 |
 | FDN537N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET | 对比 |
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