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DMN3032LFDB-13备选型号: DMN3026LVT-7
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 电容量
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-623 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY1W无铅AEC-Q101S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN1W2 N-Channel (Dual)SWITCHING30m Ω @ 5.8A, 10V2V @ 250μA500pF @ 15V10.6nC @ 10V30V6.2A0.03Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant------------
MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT2623 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SILICON6.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3-活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)--鸥翼-R-PDSO-G6-增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING23m Ω @ 6.5A, 10V2V @ 250μA643pF @ 15V12.5nC @ 10V-6.6A0.023Ohm---ROHS3 Compliant643pFDUAL260301Single2.2 ns2.5ns±20V3 ns20V30V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDC655BN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 | 对比 |
| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 | 对比 |
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