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DMN3032LFDB-13备选型号: IRF7201TRPBF
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- JESD-609代码
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- 最大功率耗散
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
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- 场效应管技术
- 场效应管特性
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- 系列
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- 电压 - 额定直流
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- 额定电流
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- 上升时间
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
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- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-623 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e4yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY1W无铅AEC-Q101S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN1W2 N-Channel (Dual)SWITCHING30m Ω @ 5.8A, 10V2V @ 250μA500pF @ 15V10.6nC @ 10V30V6.2A0.03Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-------------------------
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)SILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2003e3-活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)超低电阻-鸥翼---增强型MOSFET--N-ChannelSWITCHING30m Ω @ 7.3A, 10V1V @ 250μA550pF @ 25V28nC @ 10V-7A----ROHS3 Compliant8HEXFET®30mOhm30VDUAL7.3ASingle2.5W7 ns35ns±20V19 ns1V20V30V30V70 mJ73 ns1 V4.9784mm1.4986mm3.9878mm无SVHC无Contains Lead, Lead Free- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDC655BN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 | 对比 |
 | DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 | 对比 |
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