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首页 全部分类 DMN3032LFDB-7 vs DMN3026LVT-7

DMN3032LFDB-7备选型号: DMN3026LVT-7

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电容量
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • Diodes Incorporated
    DMN3032LFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    U-DFN2020-6 (Type B)
    6.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1W
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    30mOhm @ 5.8A, 10V
    2V @ 250μA
    500pF @ 15V
    10.6nC @ 10V
    30V
    6.2A
    500pF
    Standard
    30 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3026LVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    -
    6.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    23m Ω @ 6.5A, 10V
    2V @ 250μA
    643pF @ 15V
    12.5nC @ 10V
    -
    6.6A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e3
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    643pF
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    R-PDSO-G6
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.2 ns
    SWITCHING
    2.5ns
    ±20V
    3 ns
    20V
    0.023Ohm
    30V
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DMN3026LVT-7 DMN3026LVT-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 对比