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首页 全部分类 DMN3032LFDB-7 vs FDN537N

DMN3032LFDB-7备选型号: FDN537N

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Diodes Incorporated
    DMN3032LFDB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    U-DFN2020-6 (Type B)
    6.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1W
    1W
    2 N-Channel (Dual)
    30mOhm @ 5.8A, 10V
    2V @ 250μA
    500pF @ 15V
    10.6nC @ 10V
    30V
    6.2A
    500pF
    Standard
    30 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDN537N
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Single N-Ch PowerTrench MOSFET
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    6.5A Ta 6.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    23m Ω @ 6.5A, 10V
    3V @ 250μA
    465pF @ 15V
    8.4nC @ 10V
    -
    6.5A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    Tin
    3
    30mg
    SILICON
    PowerTrench®
    e3
    yes
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    5 ns
    SWITCHING
    10ns
    ±20V
    10 ns
    20V
    8A
    30V
    25A
    940μm
    2.92mm
    1.4mm
    无
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