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DMN3032LFDBQ-13备选型号: FDC8884
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 已出版
- 无铅代码
- HTS代码
- 端子位置
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN202023 Weeks表面贴装表面贴装6-UDFN Exposed PadSILICON6.2A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101e4活跃1 (Unlimited)6EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)HIGH RELIABILITY1W无铅未说明未说明S-PDSO-N6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN2 N-Channel (Dual)SWITCHING30m Ω @ 5.8A, 10V2V @ 250μA500pF @ 15V10.6nC @ 10V30V6.2A0.03Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-----------------------
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SILICON6.5A Ta 8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)--鸥翼----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING23m Ω @ 6.5A, 10V3V @ 250μA465pF @ 15V7.4nC @ 10V-6.5A0.023Ohm---ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)636mg2011yes8541.29.00.95DUALSingle800mW5 ns1ns±20V1 nsMO-193AA20V8A30V25 pF1mm3mm1.7mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC655BN | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6 | 对比 |
 | DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 | 对比 |
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