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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.205274
10
¥6.797428
100
¥6.412669
500
¥6.049687
1000
¥5.707256
Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-13
- 收藏
- 对比
DMN3032LFDBQ-13
671-DMN3032LFDBQ-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN3032LFDBQ-13详情
Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.2A Ta
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1W
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 5.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
500pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
6.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.03Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN3032LFDBQ-13拓展信息
Diodes Incorporated
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