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首页 全部分类 DMN3033LSD-13 vs DMP3056LSS-13

DMN3033LSD-13备选型号: DMP3056LSS-13

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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 元素配置
  • Vgs（最大值）
  • Diodes Incorporated
    DMN3033LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    850.995985mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    22mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2W
    鸥翼
    260
    40
    8
    增强型MOSFET
    2W
    11 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 6.9A, 10V
    2.1V @ 250μA
    725pF @ 15V
    13nC @ 10V
    7ns
    30V
    30 ns
    6.9A
    20V
    30V
    30A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1.5mm
    5.3mm
    4.1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP3056LSS-13
    Diodes Incorporated
    P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    850.995985mg
    SILICON
    7.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    45mOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    -
    鸥翼
    260
    40
    8
    增强型MOSFET
    2.5W
    6.4 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 6A, 10V
    2.1V @ 250μA
    722pF @ 25V
    6.8nC @ 4.5V
    5.3ns
    30V
    14.7 ns
    7.1A
    20V
    -30V
    20A
    -
    -
    1.5mm
    5.3mm
    4.1mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    DUAL
    1
    Single
    ±20V
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