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首页 全部分类 DMN3033LSDQ-13 vs DMN4800LSSQ-13

DMN3033LSDQ-13备选型号: DMN4800LSSQ-13

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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 无铅代码
  • Vgs（最大值）
  • Diodes Incorporated
    DMN3033LSDQ-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    2W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101
    R-PDSO-G8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    20m Ω @ 6.9A, 10V
    2.1V @ 250μA
    725pF @ 15V
    13nC @ 10V
    30V
    6.9A
    0.02Ohm
    30A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN4800LSSQ-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    14m Ω @ 9A, 10V
    -
    798pF @ 10V
    8.7nC @ 5V
    30V
    8.6A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    1.6V @ 250μA
    Automotive, AEC-Q101
    yes
    ±25V
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