DMN33D8LDW-7备选型号: NVTJD4001NT2G
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 无铅代码
- 引脚数量
- 无铅
- MOSFET 2N-CH 30V 0.25A16 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITY350mW鸥翼26030AEC-Q101R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET350mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING2.4 Ω @ 250mA, 10V1.5V @ 100μA48pF @ 5V1.23nC @ 10V30V250mA0.25A3Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-----
- MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-888 Weeks表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363---55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012e3活跃1 (Unlimited)--Tin (Sn)-272mW-------272mW2 N-Channel (Dual)-1.5 Ω @ 10mA, 4V1.5V @ 100μA33pF @ 5V1.3nC @ 5V30V250mA----StandardROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)6yes6无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | 对比 |
![]() | DMN63D8LDWQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | 对比 |
![]() | DMC3400SDW-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 | 对比 |



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