注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.849988
10
¥0.801875
100
¥0.756487
500
¥0.713667
1000
¥0.673271
Diodes Incorporated DMC3400SDW-13
- 收藏
- 对比
DMC3400SDW-13
671-DMC3400SDW-13
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

MOSFET N/P-CH 30V SOT363
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMC3400SDW-13详情
Diodes Incorporated DMC3400SDW-13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
650mA 450mA
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
310mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N and P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
400m Ω @ 590mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
55pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.4nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
450mA
漏极-源极导通最大电阻
0.4Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMC3400SDW-13拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。