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首页 全部分类 DMN4030LK3-13 vs DMN3024LK3-13

DMN4030LK3-13备选型号: DMN3024LK3-13

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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Diodes Incorporated
    DMN4030LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    9.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Digi-Reel®
    2010
    e3
    no
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    260
    40
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 12A, 10V
    3V @ 250μA
    604pF @ 20V
    12.9nC @ 10V
    12.4ns
    ±20V
    10.7 ns
    13.7A
    TO-252AA
    20V
    9.4A
    40V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN3024LK3-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    9.78A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    260
    40
    3
    R-PSSO-G2
    -
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    24m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    12.9nC @ 10V
    3.3ns
    ±20V
    8 ns
    14.4A
    TO-252AA
    20V
    9.78A
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Single
    8.9W
    30V
    0.024Ohm
    46.5A
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
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