Diodes Incorporated DMN3024LK3-13

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.78A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.17W Ta

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

8.9W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

2.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

608pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.9nC @ 10V

上升时间

3.3ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

14.4A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.78A

漏极-源极导通最大电阻

0.024Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

46.5A

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant